直拉法生长的硅单晶,存在多种缺陷,各种缺陷的产生机理、影响及控制手段分别是那些?

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/05/02 08:45:39

直拉法生长的硅单晶,存在多种缺陷,各种缺陷的产生机理、影响及控制手段分别是那些?
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直拉法生长的硅单晶,存在多种缺陷,各种缺陷的产生机理、影响及控制手段分别是那些?
我只能描述以下缺陷：
实际晶体的空间点阵和理想的空间点阵不同,它不完全有规则周期排列,而是点阵在排列上有这样或那样不规则性,存在着点阵畸变,偏离空间点阵.那些偏离点阵的结构或地区通称晶体缺陷.
根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小,可分为以下几类.
1、点缺陷
点缺陷特征是三个方向的尺寸很小,只有几个原子间距,如各种溶质原子引起的周围畸变区；空位,间隙原子以及这几类点担风险的复合体.固溶体中大小(a)和(b)溶质原子引起的点阵畸变示意图(c)图表示原子跑到阵间隙中,这样产生的空位称为弗兰克（Фpehkelb）空位,(d)图表示原子跑掉晶体表面去,这样产生的空位称肖脱基（Schottky）空位.
2、线缺陷
线缺陷特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似）,第三个方向上的尺寸很大,可以贯穿整个晶体,属这一类缺陷主要是位错.位错有三种基本类型：刃型位错、螺型位错、混合位错.
3、面缺陷
面缺陷的特征是一个方向上尺寸很小（相同点缺陷）,在其它两个方向上的尺寸很大,晶体的外表面及各种内界面—一般晶界、孪晶界、亚晶界、相晶界以及层错等属于这一类.
4、体缺陷
体缺陷是三堆缺陷,在三个方向上尺寸部较大,不是很大,例如晶体孔晶、漩涡条纹、杂质条纹,包裹体,慢沙（由包裹体组成的层状分子）.
在拉制单晶硅因为生长环境：如温度场、机械传动、杂质浓度等因素都会造成硅片的质量缺陷,具体如何去避免那只能靠相关的经验啦.

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