如何使半导体的导带发生能级简并?发生能级简并时有哪些伴生现象?如何检测?我认为当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移,能否发生能级简并暂时无法推断,有什么

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/30 10:04:33
如何使半导体的导带发生能级简并?发生能级简并时有哪些伴生现象?如何检测?我认为当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移,能否发生能级简并暂时无法推断,有什么

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如何使半导体的导带发生能级简并?发生能级简并时有哪些伴生现象?如何检测?
我认为当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移,能否发生能级简并暂时无法推断,有什么方法能证明确实发生了或没发生能级简并吗?发生能级简并时有哪些伴生现象呢?

如何使半导体的导带发生能级简并?发生能级简并时有哪些伴生现象?如何检测?我认为当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移,能否发生能级简并暂时无法推断,有什么
什么叫做导带能级简并?导带本身就是一连串准连续的能级组成的,你想要简并成什么程度?变成一个能级?不可能,除非只有一个孤立原子,且核外只有一个价电子,考虑自旋,此时能级就只有两个,如果考虑内层电子对价电子的影响,又可以继续劈裂,如果再引入外部磁场作用,又会劈裂,考虑其他外力作用等,又可以继续劈裂.
如果有多个原子,本身价电子直接就有相互作用,导带能级天然就不可能是简并的,一般晶体中都有大量价电子,也就形成准连续的能级,称为能带,导带是能带的一种.
如果施加外力,只会使能级劈裂得更多,不会简并.

对问题补充的回答:
“当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移”~~~你推导试试~~貌似不是一件容易的事吧~~我对你这个结论表示怀疑~
现在的理论认为,由于导带上的电子本来就是极少量的(相对于价电子总数而言,举个例子,本征Si,具体数字我不去查了,估算,载流子浓度10的10次方每平方厘米,但价电子浓度10的23次方每平方厘米,相差13个数量级),全部集中在导带底附近,基本上可以用导带底的一个能级代替所有导带电子的能级,虽然能级是分立的,但由于相差很小,实际计算中是看成一个的,但并不能说能级就是简并的~
即使通过掺杂等方法使载流子浓度大几个数量级,也是远远低于价电子浓度的,而计算能级是所有电子都需要考虑进去,相互耦合的结果,少量的导带电子数量的变化对于能带位置而言,影响微乎其微,可以忽略不计.
至于检验能级简并,常用的手段有
1辐射吸收,看光谱
2磁场耦合,看电子束分裂
个人感觉,是没法检验导带电子能级变化的,因为实在是变化太小了,精度跟不上

如何使半导体的导带发生能级简并?发生能级简并时有哪些伴生现象?如何检测?我认为当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移,能否发生能级简并暂时无法推断,有什么 半导体的费米能级 能级简并的起因? 简并能级的理解 为什么硅原子中原子能级就3个,其中各能级又包括很多简并能级,形成能带,最外层能带为价带,导带的那个能级在哪?是在原子3个能级外面的一个新的第四个能级,还是在原子最外层的一个能带 为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 半导体物理 受主能级被空穴占据的几率式中1/2是如何推来的呢?用Na*(1-受主能级被电子占据的几率)可以计算吗?而被电子占据的几率对应的简并因子g是多少(看清了是g哦!施主能级对应兼并因 半导体禁带中的束缚能级是怎么形成的?试举例说明. 掺杂半导体费米能级的计算如果已知半导体材料,比如AlGaAs,以及其材料的掺杂浓度,如何确定该掺杂半导体的费米能级 如图是氢原子能级图的一部分,当发生图中的能级跃迁时,辐射光子的能量为多少J. 为什么只有光子的能量恰好等于能级间的能量差时才能发生能级间跃迁 导体、绝缘体、半导体的能级结构有何不同也就是它们的导带、价带和禁带的差别在哪里? 氢原子从第三能级跃迁到第二能级时,辐射的光子照射到某种金属,能发生光电效应.那么,以下几种跃迁能辐射光子且能使金属发生光电效应的有A 处于4能级的氢原子向第3能级跃迁B 2到1C 3到5D 5 能级图的导带和价带分别是什么? 从固体物理统计热力学的角度上来说,费米能级降低,半导体导带边缘下降,电池的开路电压因而降低. 氢原子在发生能级跃迁是由低能级(即基态)向高能级跃迁时会不会发生光...氢原子在发生能级跃迁是由低能级(即基态)向高能级跃迁时会不会发生光现象为什么? 为什么束缚态的能级是非简并的?