作业帮什么是负电子亲和势光电阴极光电检测技术的作业：什么是负电子亲和势（NEA）光电阴极?原理?
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/28 22:03:38
什么是负电子亲和势光电阴极光电检测技术的作业：什么是负电子亲和势（NEA）光电阴极?原理?
什么是负电子亲和势光电阴极
光电检测技术的作业：什么是负电子亲和势（NEA）光电阴极?原理?
什么是负电子亲和势光电阴极光电检测技术的作业：什么是负电子亲和势（NEA）光电阴极?原理?
采用特殊工艺,例如在重掺杂P型硅表面涂一薄层CsO2,可形成NEA材料.负电子亲和势是指体内的有效电子亲和势,而不是指表面电子亲和势.NEA发射体和常规光电发射体的表面,电子状态是类似的,导带底上的电子能量都低于真空能级,其差值为Ea.但是,两者体内电子能量则不同.NEA发射体导带底的电子能量高于真空能级,而常规发射体电子亲和势仍是正的.
NEA阴极的量子效率高于正电子亲和势阴极,可从其光电发射过程进行分析.价带中的电子吸收光子能量,跃迁到导带底以上,成为热电子（受激电子能量超过导带底的电子）.在向表面运动的过程中,由于碰撞散射而发生能量损失,故很快就落到导带底而变成冷电子（能量恰好等于导带底的电子）.热电子的平均寿命非常短,约 10-14～10-12s.如果在这么短的时间内能够运动到真空界面,自然能逸出.但是热电子的逸出深度只有几十纳米,绝大部分电子来不及到达真空界面,就已经落到导带底变成冷电子了.冷电子的平均寿命比较长,约 10-9～10-8s,其逸出深度可达1000纳米.因为体内冷电子能量仍高于真空能级,所以它们运动到真空界面时,可以很容易地逸出.因此NEA量子效率比常规发射体高得多.
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采用特殊工艺，例如在重掺杂P型硅表面涂一薄层CsO2，可形成NEA材料。负电子亲和势是指体内的有效电子亲和势，而不是指表面电子亲和势。NEA发射体和常规光电发射体的表面，电子状态是类似的，导带底上的电子能量都低于真空能级，其差值为Ea。但是，两者体内电子能量则不同。NEA发射体导带底的电子能量高于真空能级，而常规发射体电子亲和势仍是正的。...
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采用特殊工艺，例如在重掺杂P型硅表面涂一薄层CsO2，可形成NEA材料。负电子亲和势是指体内的有效电子亲和势，而不是指表面电子亲和势。NEA发射体和常规光电发射体的表面，电子状态是类似的，导带底上的电子能量都低于真空能级，其差值为Ea。但是，两者体内电子能量则不同。NEA发射体导带底的电子能量高于真空能级，而常规发射体电子亲和势仍是正的。
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